半導體具有導電的“導體”和不導電的“絕緣體” 的特性。在純硅中加入雜質(zhì)的離子注入工藝 (lon Implantation)使具有導電性的半導體可以根據需要調節電流是否流動(dòng)。
反復進(jìn)行光刻,蝕刻,離子注入和沉積工藝,會(huì ) 在晶圓上形成大量的半導體電路。電路正常運行需要來(lái)自外部的電脈沖,為了保證順利傳輸信號,根據半導體電路圖連接電路(金屬線(xiàn))的過(guò)程,稱(chēng)為金屬布線(xiàn)工藝。
滿(mǎn)足以上條件且具有代表性的金屬有鋁(Al)、 (Ti)、鎢(W)等等。那么,金屬布線(xiàn)工藝是如何完 成的呢?
鋁是具有代表性的半導體用金屬配線(xiàn)材料,是因 為它可加工性強,與氧化膜(二氧化硅, Silicon Dixide)的粘附性好。
但是,當鋁(Ai)與硅(Si)相遇時(shí),會(huì )相互混合。因 此,對于硅晶圓來(lái)說(shuō),在鋁接線(xiàn)過(guò)程中會(huì )出現接 合面被破壞的現象。為了防止這種情況的發(fā)生, 在鋁和晶圓接合面之間進(jìn)行沉積,增加起到阻擋 (Barrier)作用的金屬,稱(chēng)為阻擋金屬(Barrier Metal)。這樣形成雙層薄膜后,可以防止接合面被破壞。 金屬布線(xiàn)也是通過(guò)沉積完成的。將金屬放入真空 室(Chamber)中,在低壓下煮沸或電擊時(shí),金屬 就會(huì )變成蒸氣狀態(tài)。這時(shí),將晶圓放入真空室中,就會(huì )形成金屬薄膜。
日益精細化的半導體工藝,通過(guò)不懈的研發(fā),不斷發(fā)生著(zhù)變化。在金屬布線(xiàn)工藝中,也正向化學(xué) 氣相沉積(CVD)過(guò)渡。
深圳市史班諾科技有限公司專(zhuān)注為電子制造商提供如下SMT設備：
INOTIS印刷機、 高迎Koh Young SPI、
奔創(chuàng ) PEMTRON AOI、Heller回流焊
等整條SMT生產(chǎn)線(xiàn)設備，以及零配件、服務(wù)和解決方案。